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方晓东研究员团队获安徽省技术发明一等奖
发布时间:2020-08-21 作者:邵景珍
     在2020年6月29日举行的2019年度安徽省科学技术奖奖励大会上,由中科院光伏与节能材料重点实验室方晓东研究员团队完成的“面向半导体集成电路光刻的准分子激光激励源技术及应用”项目获得安徽省技术发明一等奖。

      “面向半导体集成电路光刻的准分子激光激励源技术及应用”项目团队在国家科技重大专项等项目的支持下,针对半导体制造、平板制造等产业的国家重大战略需求,突破了高性能准分子激光激励源和能量稳定控制的技术瓶颈并取得多项核心的技术发明,在此的基础上成功研制了4kHz全固化脉冲放电激励系统并应用于首台国产90nm光刻机光源,推动了半导体集成电路光刻机装备的国产化进程。项目组发明了基于大功率半导体开关技术和磁脉冲压缩技术的高重频全固化脉冲放电激励系统;发明了振荡-放大(MOPA)结构高重频准分子激光精确同步控制系统;发明了准分子激光能量精准控制和稳定系统;发明了高精度储能电压控制技术,提出了新的脉冲能量控制算法,创建了高重频准分子激光脉冲能量稳定控制系统,满足半导体集成电路光刻应用中对曝光剂量精准控制需求。

       项目技术成果已经应用于国产高端半导体集成电路光刻机制造、高端医疗和科研领域,打破该领域核心技术长期由少数国家垄断的局面,获得良好的经济效益和社会效益。